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近端相位噪声通常指距离载波频率较近的频率范围内的噪声水平。这一区域的噪声主要由晶体本身的参数决定，包括晶体的谐振频率、品质因数（Q值）、等效串联电阻（ESR）等。

谐振频率：晶体的谐振频率决定了其工作的基本频率，是晶振性能的基础。

品质因数（Q值）：晶体的Q值越高，其频率稳定性越好，近端相位噪声通常越低。高Q值的晶体谐振电阻较小，因此起振速度更快，有助于降低近端相噪。

等效串联电阻（ESR）：ESR反映了晶体在振荡过程中的能量损耗。较小的ESR有助于减少能量损失，提高振荡信号的稳定性和强度，从而降低近端相噪。 

此外，晶体的制造工艺和材料也会对近端相位噪声产生影响。优质的制造工艺和材料能够减少晶体内部的缺陷和杂质，从而降低噪声水平。

远端相位噪声则指距离载波频率较远的频率范围内的噪声水平。这一区域的噪声更多地依赖于晶体匹配的振荡IC（集成电路）的特性。

振荡IC的设计：振荡IC的设计，包括放大器的噪声水平、电源噪声抑制能力、电路布局等，都会对远端相位噪声产生影响。良好的振荡IC设计可以有效地降低远端相位噪声。

电源噪声：电源噪声是远端相噪的重要来源之一。通过增加电源去耦电容、优化电源管理等方式，可以有效地减少电源噪声对远端相噪的影响。

电路布局：合理的电路布局可以减少信号干扰和延迟，确保晶振信号的完整性，从而降低远端相噪。